该消息说，三星电子的1C纳米DRAM记忆收益已大大提高，名称起着

该房屋于6月24日报道，指的是本月19日的《韩国媒体Sedaily报告》，以及今天的另一位韩国媒体MK，这是三星电子的10纳米计（注：1c nm）DRAM内存技术由于设计改进和其他设计收益而大大提高。 Sedaily在报告中声称，去年三星的记忆收获不到30％，因为今年5月的绩效测试中的收益率从50％到70％。 MK指出了最近的收益数据的60％以上。两位韩国媒体都说，产量的显着提高是基于空气设计的设计变化的作用。尽管这将导致大规模劳动时期的延迟，但技术水平已大大提高。由于HBM市场的失败，三星电子在今年的第一季度为SK Hynix提供了DRUM的最高收入。考虑到三星的HBM4内存是基于1c nm DRAM的，可以提高此过程的产量为三星奠定坚实的基础，以恢复其势头。